DHDP& DHIP 系列 射頻 CCP/ICP 薄膜沉積裝置
本裝置由我公司和中科院固體物理研究所聯(lián)合研制。設(shè)備主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。
主要實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
1、硅材料在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用；
2、硅系納米復(fù)合薄膜材料 PCVD 法制備；
3、等離子體化學(xué)氣相沉積制備各種功能薄膜。
技術(shù)參數(shù)
上一個(gè)：ISSP-SHF 單晶爐
下一個(gè)：DH-CVD-XX 系列 氣氛熱處理程控高溫爐
